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Memoria Ram Ddr3 4Gb 1600Mhz Adata Premier Laptop Ad3S1600W4G11-S

Información
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Av. 11 # 2223 Entre Calles 22 Y 24 Col. Del Maestro, Córdoba, Veracruz-Llave, Mexico
Finalizó 18 Jul. 2021 08:32:01
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Detalles
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Grupodecme puso en venta inicialmente 15 unidades de este producto, ya ha vendido 1 unidades en otros portales, no esperes a que se agoten quedan 14, Grupodecme ofrece una garantia de PRODUCTO 100% ORIGINAL, 1 AÑO DE GARANTÍA DIRECTO CON FABRICANTE. SI REQUIERE FACTURA, CUENTA CON 5 DÍAS PARA TRAMITARLA, FACTURAMOS TODAS SUS COMPRAS., Otras cracteristicas: Marca Adata, Capacidad 4 GB, EAN 4713435796061, Código universal de producto 4713435796061, Velocidad de memoria 1600 MHz, Tecnología de memoria DDR3, Modelo AD3S1600W4G11-S, Altura del paquete 1 cm, Longitud del paquete 16 cm, Peso del paquete 20 g, Ancho del paquete 5 cm, Computadora Notebook,
Descripción
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ADATA continúa liderando la industria en tiempo y densidad de DRAM con estos módulos de memoria de una sola unidad Premier Series DDR3 1600 de 4GB. Están diseñados y diseñados para satisfacer los requisitos cada vez más rigurosos de entusiastas y profesionales. La alta densidad de 4 GB supera las situaciones en las que solo hay unas pocas ranuras de DRAM en la placa base, lo que permite a los usuarios maximizar el potencial y el rendimiento del sistema.

CUMPLE CON LOS EST?NDARES Y ESPECIFICACIONES RIGUROSOS
La Serie Premier 1600 Mbps DDR3 de 204 patillas (SO-DIMM) son módulos de diseño de clavijas estándar que funcionan a 1,5 voltios, con un ancho de banda de transmisión de hasta 12,8 Gb / segundo (PC3 12800). Los módulos de memoria implementan tecnología de vanguardia que permite una notable densidad de memoria en un solo módulo. Todos los módulos están de acuerdo con JEDEC (Joint Electron Device Device Council, JEDEC Solid State Technology Association) y los estándares de diseño y producción de RoHS, asegurando simultáneamente la compatibilidad con todos los sistemas informáticos que adoptan el mismo producto ecológico y estándar.

ESPECIFICACIONES
Especificación del módulo: 204Pin SO-DIMM
Densidad: 4GB
Configuración IC: 256 x 8, 512 x 8
Latencia CAS: 11
Tensión de trabajo: 1.5V ± 0.075V

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